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71V016SA10YG中文资料IDT数据手册PDF规格书
厂商型号 |
71V016SA10YG |
参数属性 | 71V016SA10YG 封装/外壳为44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
文件大小 |
116.03 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企业简称 |
IDT |
中文名称 | Integrated Device Technology, Inc.官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-20 11:30:00 |
产品属性
- 产品编号:
71V016SA10YG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
1Mb(64K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
10ns
- 电压 - 供电:
3.15V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-SOJ
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
2019 |
BGA |
55000 |
真实现货库存 |
询价 | ||
Renesas |
23+ |
44-BSOJ |
8457 |
确保原装正品,专注终端客户一站式BOM配单 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
SOJ-44 |
499 |
询价 | |||
IDT |
23+ |
BGA |
3000 |
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24+ |
N/A |
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Renesas |
21+ |
25000 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2117+ |
SOJ-44 |
315000 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
SOJ44 |
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IDT |
1931+ |
N/A |
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IDT |
22+ |
NA |
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