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71V016SA10YG集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V016SA10YG |
| 参数属性 | 71V016SA10YG 封装/外壳为44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
| 封装外壳 | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） |
| 文件大小 |
116.03 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企业简称 |
IDT |
| 中文名称 | Integrated Device Technology, Inc.官网 |
| 原厂标识 | IDT |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 11:10:00 |
| 人工找货 | 71V016SA10YG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
71V016SA10YG
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
1Mb（64K x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
3.15V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
44-SOJ
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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