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71T75902S85BG8集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

71T75902S85BG8
厂商型号

71T75902S85BG8

参数属性

71T75902S85BG8 封装/外壳为119-BGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

封装外壳

119-BGA

文件大小

298.28 Kbytes

页面数量

24

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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71T75902S85BG8规格书详情

特性 Features

◆ 1M x 18 memory configuration

◆ Supports high performance system speed - 100 MHz

(7.5 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆ 4-word burst capability (Interleaved or linear)

◆ Individual byte write (BW1 - BW2 control (May tie active)

◆ Three chip enables for simple depth expansion

◆ 2.5V power supply (±5)

◆ 2.5V (±5) I/O Supply (VDDQ)

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)

◆ Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA)

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see Ordering Information

产品属性

  • 产品编号:

    71T75902S85BG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存储容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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