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7164L25YG8集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
7164L25YG8 |
| 参数属性 | 7164L25YG8 封装/外壳为28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ |
| 功能描述 | CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) |
| 文件大小 |
213.71 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-11 19:45:00 |
7164L25YG8规格书详情
Features
◆ High-speed address/chip select access time
– Commercial: 20/25ns (max.)
– Industrial: 20/25ns (max.)
– Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.)
◆ Low power consumption
◆ Battery backup operation – 2V data retention voltage
(L Version only)
◆ Produced with advanced CMOS high-performance
technology
◆ Inputs and outputs directly TTL-compatible
◆ Three-state outputs
◆ Available in 28-pin DIP, CERDIP and SOJ
◆ Military product compliant to MIL-STD-883, Class B
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
7164L25YG8属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的7164L25YG8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
7164L25YG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
64Kb（8K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
- 供应商器件封装：
28-SOJ
- 描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨电子) |
22+ |
NA |
500000 |
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35 |
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