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71321SA35TFG8集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

71321SA35TFG8
厂商型号

71321SA35TFG8

参数属性

71321SA35TFG8 封装/外壳为64-LQFP;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP

功能描述

HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP

文件大小

492.99 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 8:02:00

71321SA35TFG8规格书详情

Features

◆ High-speed access

– Commercial: 20/35/55ns (max.)

– Industrial: 25/55ns (max.)

◆ Low-power operation

– IDT71321/IDT71421SA

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT71321/421LA

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

◆ Two INT flags for port-to-port communications

71321SA35TFG8属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71321SA35TFG8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    71321SA35TFG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    35ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    64-LQFP

  • 供应商器件封装:

    64-TQFP

  • 描述:

    IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP

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