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71016S20PHGI8	文件：201.15 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71016S20PHGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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71016S20PHGI8

文件：201.15 Kbytes

Page：10 Pages

CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

71016S20PHGI8

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71016S20PHGI8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

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