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70V657S12DRGI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
70V657S12DRGI |
参数属性 | 70V657S12DRGI 封装/外壳为208-BFQFP;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
封装外壳 | 208-BFQFP |
文件大小 |
321.08 Kbytes |
页面数量 |
26 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-25 22:59:00 |
人工找货 | 70V657S12DRGI价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
70V657S12DRGI规格书详情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits
or more using the Master/Slave select when cascading
more than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
◆ On-chip port arbitration logic
产品属性
- 产品编号:
70V657S12DRGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:
1.125Mb(32K x 36)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
12ns
- 电压 - 供电:
3.15V ~ 3.45V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
208-BFQFP
- 供应商器件封装:
208-PQFP(28x28)
- 描述:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
CABGA256(17x17) |
7350 |
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询价 | ||
Renesas |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
CABGA-208(15x15) |
499 |
询价 | |||
IDT |
22+ |
208PQFP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
208-BFQFP |
8600 |
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Integrated Device Technology |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2447 |
CABGA-256(17x17) |
315000 |
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RENESAS(瑞萨电子) |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
询价 | ||
IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
208-PQFP(28x28) |
56200 |
一级代理/放心采购 |
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Renesas Electronics America In |
25+ |
208-BFQFP |
9350 |
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