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70V3589S133DRGI	文件：341.43 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode ◆ Counter enable and repeat 文件：341.43 Kbytes 页数：24 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70V3589S133DRGI	文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：246.24 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V3589S133DRGI	文件：271 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：271 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V3589S133DRGI8	文件：271 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：271 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V3589S133DRGI8	文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：246.24 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
70V3589S133DRGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-BFQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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产品属性

产品编号：
70V3589S133DRGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步
存储容量：
2Mb（64K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-BFQFP
供应商器件封装：
208-PQFP（28x28）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP

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更多70V3589S133DRGI供应商更新时间2025-12-24 8:24:00

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