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70V3319S133BFI8集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

70V3319S133BFI8
厂商型号

70V3319S133BFI8

参数属性

70V3319S133BFI8 封装/外壳为208-LFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

文件大小

544.14 Kbytes

页面数量

24

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-9 10:06:00

70V3319S133BFI8规格书详情

Features:

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed data access

– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)

◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

– Due to limited pin count PL/FT option is not supported

on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined

outputs only on each port.

◆ Counter enable and repeat features

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆ Full synchronous operation on both ports

– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)

– Fast 3.6ns clock to data out

– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 166MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

70V3319S133BFI8属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的70V3319S133BFI8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    70V3319S133BFI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量:

    4.5Mb(256K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    208-LFBGA

  • 供应商器件封装:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
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65700
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