70V26S集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	70V26S
参数属性	70V26S 封装/外壳为84-LCC（J 形引线）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC
功能描述	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
封装外壳	84-LCC（J 形引线）
文件大小	517.75 Kbytes
页面数量	19 页
生产厂商	Renesas Technology Corp
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-29 23:00:00
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70V26S规格书详情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 25/35/55ns (max.)

◆ Low-power operation

– IDT70V26S

Active: 300mW (typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V26L

Active: 300mW (typ.)

Standby: 660μW (typ.)

◆ Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

bus compatibility

◆ IDT70V26 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ On-chip port arbitration logic

◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆ Fully asynchronous operation from either port

◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

◆ Available in 84-pin PGA and PLCC

◆ Green parts available, see ordering information

产品属性

产品编号：
70V26S25J8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
256Kb（16K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
84-LCC（J 形引线）
供应商器件封装：
84-PLCC（29.31x29.31）
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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