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70V261S35PFG集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

70V261S35PFG

参数属性

70V261S35PFG 封装/外壳为100-LQFP;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

封装外壳

100-LQFP

文件大小

264.03 Kbytes

页面数量

19

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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70V261S35PFG规格书详情

特性 Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 25/35ns (max.)

– Industrial: 25ns (max.)

◆ Low-power operation

– IDT70V261S

Active: 300mW (typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V261L

Active: 300mW (typ.)

Standby: 660μW (typ.)

◆ Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

bus compatibility

◆ IDT70V261 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Interrupt Flag

◆ On-chip port arbitration logic

◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆ Fully asynchronous operation from either port

◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

◆ Available in a 100-pin TQFP, Thin Quad Plastic Flatpack

◆ Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speed

产品属性

  • 产品编号:

    70V261S35PFG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量:

    256Kb(16K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    35ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商器件封装:

    100-TQFP

  • 描述:

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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