70V07S35G集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
70V07S35G |
| 参数属性 | 70V07S35G 封装/外壳为68-BPGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 封装外壳 | 68-BPGA |
| 文件大小 |
526.69 Kbytes |
| 页面数量 |
20 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-22 23:00:00 |
| 人工找货 | 70V07S35G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
70V07S35G规格书详情
特性 Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 35ns (max.)
◆ Low-power operation
– IDT70V07S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V07L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
◆ Interrupt Flag
◆ IDT70V07 easily expands data bus width to 16 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ On-chip port arbitration logic
◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
◆ Fully asynchronous operation from either port
◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
◆ Available in 68-pin PGA and a 80-pin TQFP
◆ Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
产品属性
- 产品编号：
70V07S35G
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，异步
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
35ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
68-BPGA
- 供应商器件封装：
68-PGA（29.46x29.46）
- 描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
PGA68(29.5x29.5) |
7350 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
PGA-68(29.46x29.46) |
499 |
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IDT |
23+ |
68-BPGA |
10306 |
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IDT |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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PGA-68(29.46x29.46) |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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PGA-68(29.46x29.46) |
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68-PGA(29.46x29.46) |
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IDT, Integrated Device Technol |
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