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70T633S10BC8集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
70T633S10BC8 |
| 参数属性 | 70T633S10BC8 封装/外壳为256-LBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 封装外壳 | 256-LBGA |
| 文件大小 |
513.809 Kbytes |
| 页面数量 |
28 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 20:00:00 |
| 人工找货 | 70T633S10BC8价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
70T633S10BC8规格书详情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
产品属性
- 产品编号：
70T633S10BC8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，异步
- 存储容量：
9Mb（512K x 18）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
256-LBGA
- 供应商器件封装：
256-CABGA（17x17）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT(Renesas收购) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
IDT |
25+ |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | |||
IDT |
23+ |
NA |
9376 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
CABGA256(17x17) |
7350 |
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询价 | ||
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
165-LBGA |
5280 |
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询价 | ||
IDT |
2021+ |
7897 |
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询价 | |||
Renesas |
25+ |
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询价 | |||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
256-LBGA |
8600 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
询价 | ||
IDT |
24+ |
SMD |
324554 |
原装进口现货 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
CABGA-256(17x17) |
499 |
询价 |
