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70T633S10BC集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

70T633S10BC

参数属性

70T633S10BC 封装/外壳为256-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

封装外壳

256-LBGA

文件大小

513.809 Kbytes

页面数量

28

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 18:06:00

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70T633S10BC规格书详情

特性 Features

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 10/12/15ns (max.)

– Industrial: 10/12ns (max.)

◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write

cycles

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

◆ IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

产品属性

  • 产品编号:

    70T633S10BC

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    256-LBGA

  • 供应商器件封装:

    256-CABGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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