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70T3599S200BCG集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
70T3599S200BCG |
| 参数属性 | 70T3599S200BCG 封装/外壳为256-LBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 封装外壳 | 256-LBGA |
| 文件大小 |
619.67 Kbytes |
| 页面数量 |
30 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-27 22:59:00 |
| 人工找货 | 70T3599S200BCG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
70T3599S200BCG规格书详情
Features:
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed data access
– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
◆ Counter enable and repeat features
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆ Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
产品属性
- 产品编号：
70T3599S200BCG
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，同步
- 存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
256-LBGA
- 供应商器件封装：
256-CABGA
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
CABGA256 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IDT/RENESAS |
22+ |
BBG324 |
24500 |
瑞萨全系列在售 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
PBGA-324(19x19) |
499 |
询价 | |||
Renesas Electronics America In |
25+ |
256-LBGA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IDT |
25+ |
NA |
880000 |
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询价 | ||
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
165-LBGA |
5280 |
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IDT |
2016+ |
ROHS |
5632 |
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Renesas |
25+ |
25000 |
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RENESAS(瑞萨电子) |
22+ |
NA |
500000 |
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询价 | ||
IDT |
23+ |
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