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70T3319S166BF	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/ 4.2ns (133MHz)(max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode ◆ Counter enab 文件：628.53 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70T3319S166BF8	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/ 4.2ns (133MHz)(max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode ◆ Counter enab 文件：628.53 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70T3319S166BFG	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/ 4.2ns (133MHz)(max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode ◆ Counter enab 文件：628.53 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70T3319S166BFG8	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed data access – Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/ 4.2ns (133MHz)(max.) – Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode ◆ Counter enab 文件：628.53 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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产品属性

产品编号：
70T3319S166BF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
2.4V ~ 2.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-LFBGA
供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

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