首页>70P259L65BYGI>规格书详情

70P259L65BYGI集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

70P259L65BYGI
厂商型号

70P259L65BYGI

参数属性

70P259L65BYGI 封装/外壳为100-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 128KBIT PAR 100CABGA

功能描述

VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IC SRAM 128KBIT PAR 100CABGA

文件大小

151.32 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-6-4 22:50:00

70P259L65BYGI规格书详情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

◆ Both ports configurable to standard SRAM or timemultiplexed

address/data interface

◆ High-speed access

– Industrial: 65ns (max.), ADM mode

– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode

◆ Low-power operation

IDT70P269/259/249L

Active: 27mW (typ.)

Standby: 3.6μW (typ.)

◆ Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's

70P259L65BYGI属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的70P259L65BYGI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    70P259L65BYGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量:

    128Kb(8K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    65ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    100-CABGA(6x6)

  • 描述:

    IC SRAM 128KBIT PAR 100CABGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IDT
23+
17+
54
全新原装假一赔十
询价
IDT
1836+
BGA
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
22+
5000
询价
IDT
23+
BGA
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
询价
IDT
16+
原厂封装
2000
原装现货假一罚十
询价
IDT
BGA
198589
假一罚十原包原标签常备现货!
询价
IDT
22+
BGA
3255
强势库存!原装现货!
询价
IDT
2122+
NA
35000
全新原装正品,优势渠道可含税,假一赔十
询价
Renesas Electronics America In
24+
100-TFBGA
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
询价
IDT, Integrated Device Technol
21+
100-CABGA(6x6)
56200
一级代理/放心采购
询价