| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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17年
留言
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SANYOSOT-23 |
6500 |
24+ |
新进库存/原装 |
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1年
留言
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TSSOP-14 |
3000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23 |
3022 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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8年
留言
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onsemi(安森美)CPH-3 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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1年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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12年
留言
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ON/安森美NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
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8年
留言
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SANYOSOT23 |
1090 |
7 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
留言
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ON/安森美NA |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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ONNA |
3000 |
24+ |
进口原装 假一罚十 现货 |
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5年
留言
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ON(安森美)NA |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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10年
留言
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SOT-23NA |
15659 |
25+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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4年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
5000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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17年
留言
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SANYOSOT-23 |
18200 |
24+ |
新进库存/原装 |
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5年
留言
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ONSOT-23 |
3000 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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13年
留言
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ONSOT23 |
6000 |
25+ |
原厂原装,价格优势 |
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6年
留言
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SANYO-三洋SOT-23.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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ON-安森美车规-元器件 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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50A02CH图片
50A02CH-TL-E价格
50A02CH-TL-E价格:¥0.4220品牌:ON Semiconductor
生产厂家品牌为ON Semiconductor的50A02CH-TL-E多少钱,想知道50A02CH-TL-E价格是多少?参考价:¥0.4220。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,50A02CH-TL-E批发价格及采购报价,50A02CH-TL-E销售排行榜及行情走势,50A02CH-TL-E报价。
50A02CH-TL-H中文资料Alldatasheet PDF
更多50A02CH制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
50A02CH_10制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
50A02CH_12制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amplifi er Applications
50A02CH-TL-E功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
50A02CH-TL-H功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2


























