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详细参数

  • 型号：

    4PS03017E33G30876

  • 功能描述：

    IGBT 模块

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 产品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压：

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流：

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作温度：

    + 125 C

  • 封装/箱体：

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市安富世纪电子有限公司
4PS03017E33G30876
INFINEON
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天津市博通航睿技术有限公司
4PS03017E33G30876
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深圳市科达星科技有限公司
4PS11.05P2
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4PS223J2J6AA615MA1
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56500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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