4N55/883B中文资料模拟和数字应用密封型晶体管输出光电耦合器数据手册Broadcom规格书

描述 Description

4N55/883B 是采用 16 引脚陶瓷 DIP 封装的高可靠性 H 类双通道密封光电耦合器，提供镀金引脚、浸锡引脚及其他多种引脚形式选择。请参阅数据表获取详细信息。
该产品能够在全部军事化温度范围内运行和存储，并且可以作为商业级、搭配 MIL-PRF-38534 类 K 级测试购买或从 DLA SMD 5962-87679 中选购。该器件在 MIL-PRF-38534 认证线路上进行生产和测试，并且被纳入混合型微型电路 QML-38534 DLA 合格制造商名单中。
每个通道含有一个可与集成性光子探测器进行光电耦合的 GaAsP LED（磷砷化镓发光二极管），分别用于光电二极管和输出晶体管集电极的连接，减小了基极与集电极的电容，因而相比于传统的光电晶体管输出型耦合器，提高速度高达百倍。
该器件适合宽频带宽模拟应用，以及将 TTL 接入 LSTTL 或 CMOS。电流传输比 (CTR) 在 IF = 16mA 时为 9%（最低值）。18V Vcc 容量使得设计师能够将任何 TTL 系列产品接入 CMOS。设置的基极引脚可在模拟应用中优化增益/带宽调整。IC 光电二极管较浅的深度使得其抗辐射效果优于传统的光电晶体管耦合器。
此类产品还配有相连的晶体管基极节点以提高共模抑制能力和静电放电 (ESD) 敏感度。此外，还可以按照特殊要求，提供更高的最小电流传输比 (CTR)。
该芯片组的单、双或四通道封装类型为 8 和 16 引脚 DIP 直插型、16 引脚表面贴装 DIP 扁平封装以及 20 无引线陶瓷载体封装。大部分器件具有多种引脚类型和电镀方案选择。请参阅数据表获取详细信息。
由于数据表中列出的所有器件的通道都使用相同芯片，因此数据表中列出的最大绝对规格、建议工作条件、电气规格和性能特性等数据对于所有部件都基本相同，有基于封装变化和限制造成的部分例外，并且会予以标示。另外，所有器件也使用相同的封装组装工序和材料，这样的相似性可实现使用从一个部件上获得的数据来代表其他部件的性能，以保证可靠性及部分有限辐射测试结果。

特性 Features

·高可靠性、两通道、16-Pin DIP
·-55°C 至 125°C 温度范围性能保证
·MIL-PRF-38534 H 类，QML-38534
·器件零件编号和 DLA 标准微型电路图纸双重标记
·高抗幅射能力
·可靠性数据
·提供 MIL-PRF-38534 K 类
·五种密封型封装配置
·提供单通道和四通道器件选择（不同封装）
·9 MHz 带宽
·高速：400 Kb/s（典型值）
·集电极开路输出
·2-18V Vcc 范围
·1,500 Vdc 耐压

应用 Application

Military and Aerospace
High Reliability Systems
Transportation, Medical, and Life Critical Systems
Vehicle Command, Control
Line Receiver
Switching Power Supply
Voltage Level Shifting
Analog Signal Ground Isolation
Isolated Input Line Receiver
Isolated Output Line Driver
Logic Ground Isolation
Isolation for Test Equipment Systems
Harsh Industrial Environments

简介

4N55/883B属于隔离器的光隔离器-晶体管光电输出。由制造生产的4N55/883B光隔离器 - 晶体管，光电输出晶体管或光电输出光隔离器通常出于安全或功能性原因，使用光来跨过电绝缘层进行信息传输。与其他光隔离器类型的区别在于，它们使用简单的光电晶体管或光伏电池（太阳能电池）作为输出设备。这些器件的输出不需要外部电源即可运行，并且具有模拟特性，因此可用于在无法实现电连接的电路之间传输模拟信息。