4N38300W中文资料PDF规格书
4N38300W规格书详情
DESCRIPTION
The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
FEATURES
• High Voltage
- H11D1, H11D2, BVCER = 300 V
- H11D3, H11D4, BVCER = 200 V
• High isolation voltage
- 5300 VAC RMS - 1 minute
- 7500 VAC PEAK - 1 minute
• Underwriters Laboratory (UL) recognized File# E90700
APPLICATIONS
• Power supply regulators
• Digital logic inputs
• Microprocessor inputs
• Appliance sensor systems
• Industrial controls
产品属性
- 型号：
4N38300W
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
22+ |
DIP6P |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
QTC |
DIP-6P |
608900 |
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QTC |
23+ |
DIP6 |
20000 |
原装正品 欢迎咨询 |
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MOT |
99+ |
DIP6P |
10 |
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ISOCOM |
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DIP6 |
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