4N35-000E数据手册Broadcom中文资料规格书
4N35-000E规格书详情
描述 Description
4N35-000E 为适合通用光电耦合应用的光电耦合器产品,内含通过光学耦合到光敏晶体管的发光二极管,采用 6-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择,输入电流 10mA 时响应时间 tr 大约在 3µs,最低 CTR 为 100%。
特性 Features
·响应时间 tr = 3µs @ VCE = 10 V、IC = 2 mA、 RL = 100Ω
·高电流转换比 CTR = 100% @ IF = 10mA、VCE = 10 V
·输入输出隔离电压 VISO = 3,550Vrms
·双排引脚封装
·安全规范认证:
- UL
- CSA
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-2
·选择包括:
- 060E = IEC/EN/DIN EN 60747-5-2
- W00E = 0.4\" 引脚间距
- 300E = 弯脚 SMD
- 500E = 卷带式封装
应用 Application
I/O interfaces for computers
System appliances, measuring instruments
Signal transmission between circuits of different potentials and impedances
技术参数
- 型号:
4N35-000E
- 功能描述:
晶体管输出光电耦合器 3550 Vrms 60mA
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 输入类型:
DC
- 最大集电极/发射极电压:
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压:
0.4 V
- 绝缘电压:
5300 Vrms
- 电流传递比:
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压:
1.65 V
- 最大输入二极管电流:
60 mA
- 最大集电极电流:
100 mA
- 最大功率耗散:
100 mW
- 最大工作温度:
+ 110 C
- 最小工作温度:
- 55 C
- 封装/箱体:
DIP-4
- 封装:
Bulk
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