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4N35-000E数据手册Broadcom中文资料规格书

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厂商型号

4N35-000E

功能描述

通用光敏晶体管光电耦合器

制造商

Broadcom Broadcom Corporation.

中文名称

博通公司 博通半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 13:40:00

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4N35-000E规格书详情

描述 Description

4N35-000E 为适合通用光电耦合应用的光电耦合器产品,内含通过光学耦合到光敏晶体管的发光二极管,采用 6-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择,输入电流 10mA 时响应时间 tr 大约在 3µs,最低 CTR 为 100%。

特性 Features

·响应时间 tr = 3µs @ VCE = 10 V、IC = 2 mA、 RL = 100Ω
·高电流转换比 CTR = 100% @ IF = 10mA、VCE = 10 V
·输入输出隔离电压 VISO = 3,550Vrms
·双排引脚封装
·安全规范认证:
- UL
- CSA
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-2
·选择包括:
- 060E = IEC/EN/DIN EN 60747-5-2
- W00E = 0.4\" 引脚间距
- 300E = 弯脚 SMD
- 500E = 卷带式封装

应用 Application

I/O interfaces for computers
System appliances, measuring instruments
Signal transmission between circuits of different potentials and impedances

技术参数

  • 型号:

    4N35-000E

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 3550 Vrms 60mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

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