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4N30M数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

4N30M

功能描述

4N29M,4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M,TIL113M 6 引脚 DIP 通用型光电达林顿光耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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4N30M规格书详情

描述 Description

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

特性 Features

• “对于低输入驱动电流高度敏感
• 满足或超过所有 JEDEC 寄存规格
• 安全和法规认证:
• UL1577,4170 VACRMS(1 分钟)
• DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压”

应用 Application

• AC-DC商用电源
• 消费型设备
• 工业级电机

技术参数

  • 制造商编号

    :4N30M

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channels

    :1

  • CTR (Min) (%)

    :100

  • CTR tested @ IF (mA)

    :10

  • VCE(sat) (Max) (V)

    :1

  • BVCEO (Min) (V)

    :30

  • BVCBO (Min) (V)

    :30

  • BVECO (Min) (V)

    :5

  • ton (Max) (µs)

    :5

  • toff (Max) (µs)

    :40

  • VISO (Min) (V)

    :5300

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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