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4N28M中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

4N28M

功能描述

6-Pin General Purpose Phototransistor Optocouplers

丝印标识

4N28

封装外壳

DIP6-Pin

文件大小

385.67 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 20:00:00

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4N28M规格书详情

特性 Features

■ Minimum Current Transfer Ratio at IF = 10 mA, VCE = 10 V:

– 10% for 4N27M and 4N28M

– 20% for 4N25M and 4N26M

– 100% for 4N35M, 4N36M and 4N37M

■ Safety and Regulatory Approvals:

– UL1577, 4,170 VAC RMS for 1 Minute

– DIN-EN/IEC60747-5-5, 850 V Peak Working Insulation Voltage

Applications

■ Power Supply Regulators

■ Digital Logic Inputs

■ Microprocessor Inputs

描述 Description

The general purpose optocouplers consist of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a standard plastic six-pin dual-in-line package.

产品属性

  • 型号:

    4N28M

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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