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4N25TVM中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

4N25TVM
厂商型号

4N25TVM

功能描述

6-Pin General Purpose Phototransistor Optocouplers

文件大小

336.16 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:49:00

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4N25TVM规格书详情

描述 Description

The general purpose optocouplers consist of a gallium arsenide

infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a standard

plastic 6−pin dual−in−line package.

特性 Features

• Minimum Current Transfer Ratio at IF = 10 mA, VCE = 10 V:

♦ 10 for 4N27M and 4N28M

♦ 20 for 4N25M and 4N26M

♦ 100 for 4N35M and 4N36M and 4N37M

• Safety and Regulatory Approvals:

♦ UL1577, 4,170 VACRMS for 1 Minute

♦ DIN−EN/IEC60747−5−5, 850 V Peak Working Insulation Voltage

Applications

• Power Supply Regulators

• Digital Logic Inputs

• Microprocessor Inputs

产品属性

  • 型号:

    4N25TVM

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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