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HN4B102J

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

HN4B102J

TransistorSiliconPNP/NPNEpitaxialType(PCTProcess)

MOSGateDriveApplications SwitchingApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •HighDCcurrentgain:PNPhFE=200to500(IC=-0.2A) :NPNhFE=200to500(IC=0.2A) •Lowcollector-emittersaturation:PNPVCE(sat)=-0.20V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

详细参数

  • 型号:

    4B102P

  • 制造商:

    TE Connectivity

  • 功能描述:

    NEMA Terminal Blocks

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TE/泰科
2508+
/
233927
一级代理,原装现货
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东海理化
NA
56549
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2020+
8000
只做原装,可提供样品
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东海理化
24+
防水塞
5000
原装,正品
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K&L
23+
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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23+
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SMD
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Honeywell
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更多4B102P供应商 更新时间2025-5-22 11:17:00