495220TU中文资料NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
495220TU |
| 参数属性 | 495220TU 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 325V 4A TO220-3 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
| 人工找货 | 495220TU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
495220TU规格书详情
简介
495220TU属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的495220TU晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
495220TU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 5mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 325V 4A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
NS |
23+ |
QFP |
3007 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
TF |
2018 |
SOP-8 |
10336 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
SOP-8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
SOP-8 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
TE |
新 |
8 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
SC |
12+ |
SOP-8 |
3500 |
原装现货/特价 |
询价 | ||
APM |
17+ |
SOP-8 |
60000 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
APM/APEC |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
