474PSB850K2H_电容器 薄膜电容器高频,开关;高脉冲,DV/DT;吸收电路-CDE

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原厂料号:474PSB850K2H品牌:Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

资料说明:CAP FILM 0.47UF 10% 850VDC RAD

474PSB850K2H是电容器 > 薄膜电容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生产封装径向的474PSB850K2H薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

  • 芯片型号:

    474psb850k2h

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    CDE详情

  • 厂商全称:

    Cornell Dubilier Electronics

  • 资料说明:

    CAP FILM 0.47UF 10% 850VDC RAD

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    474PSB850K2H

  • 制造商:

    Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

  • 类别:

    电容器 > 薄膜电容器

  • 系列:

    PSB

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±10%

  • 额定电压 - AC:

    500V

  • 额定电压 - DC:

    850V

  • 介电材料:

    聚丙烯(PP),金属化

  • 工作温度:

    -40°C ~ 100°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 大小 / 尺寸:

    1.260" 长 x 0.709" 宽(32.00mm x 18.00mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    1.299"(33.00mm)

  • 端接:

    PC 引脚

  • 引线间距:

    1.083"(27.50mm)

  • 应用:

    高频,开关;高脉冲,DV/DT;吸收电路

  • 描述:

    CAP FILM 0.47UF 10% 850VDC RAD

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