丝印：4410；Package：DFN3333-8L；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@10A

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PANJIT

強茂

丝印：4410；Package：DFN3333-8L；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features RDS(ON), VGS@10V,ID@10A

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PANJIT

強茂

丝印：4410Z；Package：TO-263；100 V N-Channel MOSFET

Benefits * Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness * Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA * Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability * Lead-Free * RoHS Compliant, Halogen-Free * VDS =100V * ID(at VGS=10V)=97A * RDS(ON) (at VGS=10V)

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UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CET

华瑞

SOP8 N 20V 11MR

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