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425M47592RG3中文资料薄膜电容数据手册CDE规格书
425M47592RG3规格书详情
简介
425M47592RG3属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的425M47592RG3薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。
技术参数
更多- 制造商编号
：425M47592RG3
- 生产厂家
：CDE
- 精度
：±10%
- 额定电压
：250V
- 介电材料
：金属化聚酯
- 工作温度
：-55℃~+85℃
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
24+ |
NA/ |
5085 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
BUSSMANN |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
BUSSMANN巴斯曼熔断器 |
23+ |
Fuse |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
MGChemicals |
新 |
36 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
TE/泰科 |
23+ |
NA/原装 |
82985 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
询价 | ||
BUSSMANN巴斯曼熔断器 |
2022+ |
425A/500V |
1750 |
长期供应,价格优势,全新原装,支持实单, |
询价 | ||
BUSSMANN/巴斯曼 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
CTS-Frequency Controls |
25+ |
4-SMD 无引线 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NA |
23+ |
NA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
