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3VD186700YL中文资料士兰微数据手册PDF规格书

3VD186700YL
厂商型号

3VD186700YL

功能描述

HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS

文件大小

79.78 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Silan Microelectronics Joint-stock
企业简称

SILAN士兰微

中文名称

杭州士兰微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 10:17:00

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3VD186700YL规格书详情

DESCRIPTION

➤ 3VD186700YL is a High voltage N-Channel enhancement mode power MOS-FET chip fabricated in advanced silicon epitaxial planar technology.

➤ Advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability.

➤ Avalanche Energy Specified

➤ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

➤ The chips may packaged in TO-251-3L type and the typical equivalent product is 1N70.

➤ The packaged product is widely used in AC-DC power suppliers, DC-DC converters and H-bridge PWM motor drivers.

➤ Die size: 1.96mm*1.78mm.

➤ Chip Thickness: 300±20μm.

➤ Top metal: Al, Backside Metal: Ag.

产品属性

  • 型号:

    3VD186700YL

  • 制造商:

    SILAN

  • 制造商全称:

    Silan Microelectronics Joint-stock

  • 功能描述:

    HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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