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3SK323中文资料Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier数据手册Renesas规格书

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厂商型号

3SK323

功能描述

Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨

数据手册

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更新时间

2026-9-24 21:13:00

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3SK323规格书详情

特性 Features

• Low noise characteristics; NF = 1.0 dB typ. (at f = 900 MHz)
• High gain characteristics; PG = 24 dB typ. (at f = 900 MHz)
• Capable low voltage operation; +B = 3.5 V
• High Endurance Voltage; VDS = 6 V

技术参数

  • 型号:

    3SK323

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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TOSHIBA
24+
TO-18
5000
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TOSHIBA
26+
CAN-4
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原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单
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RENESAS
22+
SOT143
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全新 发货1-2天
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