3SK263数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
3SK263 |
| 参数属性 | 3SK263 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 15V 200MHZ CP4 |
| 功能描述 | N 沟道双门 MOSFET，15V，30mA，PG=21dB，NF=1.1dB，CP4 |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 22:30:00 |
| 人工找货 | 3SK263价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
3SK263规格书详情
描述 Description
3SK263 是一款 N 沟道双门 MOSFET，15V，30mA，PG=21dB，NF=1.1dB，CP4，适用于 FM 调频器、VHF 调频器、高频放大器应用。
特性 Features
• Enhancement type
• Small noise fi gure
• Small cross modulation
简介
3SK263属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的3SK263晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
3SK263-5-TG-E
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
N 通道双门
- 频率：
200MHz
- 增益：
21dB
- 额定电流（安培）：
30mA
- 噪声系数：
2.2dB
- 封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装：
4-CP
- 描述：
FET RF 15V 200MHZ CP4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
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