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厂商型号

3N142

功能描述

SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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5

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2026-1-17 17:00:00

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3N142规格书详情

[GESS]

Silicon Insulated-Gate Field-Effect Transistor

For Industrial and military Applications to 175 MHz

产品属性

  • 型号:

    3N142

  • 功能描述:

    SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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