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3DK208	文件：253.82 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · High Switching Speed · High DC Current Gain- : hFE= 7@ IC= 15A · Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=1.0V(Min.)@ IC= 10A APPLICATIONS · Designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications. 文件：253.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DK2166	文件：448.18 Kbytes Page：5 Pages	Microcontroller Microcontroller 文件：448.18 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
3DK2222A	文件：1.23863 Mbytes Page：3 Pages	丝印：1P1；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) 文件：1.23863 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
3DK2222A	文件：932.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR ( NPN ) TRANSISTOR ( NPN ) FEATURES • Epitaxial planar die construction • Complementary PNP Type available(MMBT2907ALT1) 文件：932.59 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
3DK2222A	文件：111.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN ) TRANSISTOR(NPN ) FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W(Tamb=25℃) 文件：111.33 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
3DK2222A-SOT-23	文件：932.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR ( NPN ) TRANSISTOR ( NPN ) FEATURES • Epitaxial planar die construction • Complementary PNP Type available(MMBT2907ALT1) 文件：932.59 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
3DK2222A-TO-92	文件：111.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN ) TRANSISTOR(NPN ) FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W(Tamb=25℃) 文件：111.33 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
3DK2219A	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BMTI 北京微电子	BMTI
3DK2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
3DK2222A-C/TR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Semitehelec	Semitehelec

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富凯科技(深圳）有限公司	3DK2222A	CJ/长电	24+	SOT-23	50000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
深圳市嵩宏达科技有限公司	3DK2222A	CJ/长电	24+	SOT-23	50000	全新原装,一手货源,全场热卖!	询价
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深圳市盈慧通电子有限公司	3DK2222A	CJ/长晶	2511	SOT-23	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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更多3DK2供应商更新时间2025-10-31 11:10:00

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