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3DF1E | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=200V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):1.5V(Max) @IC=0.25A APPLICATIONS · Low current high speed switching applications · Low power audio amplifier 文件：251.93 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
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晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
350V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
10W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
350
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
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更新时间2026-1-17 16:01:00
