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3DA100	文件：292.19 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain :hFE=10(MAX)@IC=1.5A ·ExcellentSafeOperatingArea ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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3DA100

文件：292.19 Kbytes

Page：2 Pages

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain :hFE=10(MAX)@IC=1.5A ·ExcellentSafeOperatingArea ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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