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3DA100	文件：292.19 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain :hFE=10(MAX)@IC=1.5A ·ExcellentSafeOperatingArea ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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3DA100

文件：292.19 Kbytes

Page：2 Pages

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain :hFE=10(MAX)@IC=1.5A ·ExcellentSafeOperatingArea ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

晶体管资料

型号：
3DA100C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
55V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
>220MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
55
htest：
220000100
atest：
5
wtest：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多3DA100C供应商更新时间2024-4-27 14:26:00

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