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3CF1E

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=-250V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):-0.8V(Max) @IC=-0.75A APPLICATIONS · Low current high speed switching applications · Low power audio amplifier

文件:244.91 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

3CG180

DIP

CHINA

3CG21D

T0-39

CHINA

3CG5

TO-39

CHINA

3CK2

T0-39

CHINA

晶体管资料

  • 型号:

    3CF1E

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    200V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    200

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    10

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更多3CF1供应商 更新时间2026-3-11 14:24:00