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3AD55C

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-30V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):-0.45V(Max)@IC=-2A APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifier applications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多3AD55C供应商 更新时间2025-7-25 13:52:00