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3AD55C

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-30V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):-0.45V(Max)@IC=-2A APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifier applications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    3AD55C

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    20

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更多3AD55C供应商 更新时间2025-5-22 10:32:00