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334PSB850K2H数据手册电容器的薄膜电容器规格书PDF

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厂商型号

334PSB850K2H

参数属性

334PSB850K2H 封装/外壳为径向;包装为散装;类别为电容器的薄膜电容器;334PSB850K2H应用范围:高频,开关;高脉冲,DV/DT;吸收电路;产品描述:CAP FILM 0.33UF 10% 850VDC RAD

功能描述

FILM, PAPER-FILM CAPACITORS
CAP FILM 0.33UF 10% 850VDC RAD

封装外壳

径向

制造商

CDE Cornell Dubilier Electronics

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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334PSB850K2H规格书详情

简介

334PSB850K2H属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的334PSB850K2H薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :334PSB850K2H

  • 生产厂家

    :CDE

  • Capacitance

    :330 nF

  • VoltageDC

    :850V

  • VoltageAC

    :—

  • ESR

    :4.9 mΩ

  • dV/dt

    :1900

  • RippleCurrent

    :—

  • MinTemp

    :-40°C

  • MaxTemp

    :100°C

  • Tolerance

    :-10%/+10%

  • LoadLife

    :—

  • Width

    :—

  • Height

    :24.5mm

  • Length

    :32mm

  • Thickness

    :15mm

  • Diameter

    :—

  • LeadSpacing

    :28mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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