| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：320N12L6；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features •N-channel,logiclevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification • | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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