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厂商型号

30N06VG-TM3-T

功能描述

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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205.67 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

UTC

中文名称

友顺

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更新时间

2025-10-12 16:50:00

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30N06VG-TM3-T规格书详情

DESCRIPTION

The UTC 30N06V-Q is a low voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and excellent avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at automotive applications in power supplies, high efficient DC to DC converters and battery operated products.

FEATURES

* RDS(ON) < 40mΩ@VGS = 10 V, ID=15A

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

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