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30KP51A-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 51VWM 86.4VC R6	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
30KP51C	文件：395.67 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES: ExcellentClampingCapability FastResponseTime LowLeakageCurrent Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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30KP51CA	文件：237.22 Kbytes Page：3 Pages	30000WattsTransientVoltageSuppressor28to288Volt Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •30000WattsPeakPulsePowerCapabilityon10/1000uswaveform •Glasspassivatedjunction •PlasticpackageDevicesandLowincrementalsurgeresistance •Hightemperaturesolde	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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30KP51CA	文件：621.4 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadTransientVoltageSuppressors(TVS) Description The30KPseriesisdesignedspecificallytoprotectsensitiveelectronicequipmentfromvoltagetransientsinducedbylightningandothertransientvoltageevents. Features ◆GlasspassivatedchipjunctioninP600Package ◆Lowleakage ◆UniandBidirectionalunit ◆Excellentcla	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
30KP51CA	文件：83.82 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
30KP51CA	文件：30.37 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Glasspassivatedjunction •30000WPeakPulsePowercapabilityon10/1000µswaveform •Excellentclampingcapability •Repetitionrate(dutycycle):0.05 •Lowincrementalsurgeresistance •Fastresp	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
30KP51CA	文件：104.55 Kbytes Page：5 Pages	30000WTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR GlassPassivatedDieConstruction 30000WPeakPulsePowerDissipation 28V–288VStandoffVoltage Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingVoltage TypicalResponseTime	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
30KP51CA	文件：3.29292 Mbytes Page：6 Pages	30000WSurfaceMountTransientVoltageSuppressors Features Glasspassivatedchip 30000WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan2μAabove64V Lowleakage UniandBidirectionalunit Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

产品属性

产品编号：
30KP51A-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
51V
电压 - 击穿（最小值）：
57V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
86.4V
功率 - 峰值脉冲：
30000W（30kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
R-6，轴向
供应商器件封装：
R-6
描述：
TVS DIODE 51VWM 86.4VC R6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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