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30C02MH-TL-E分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

30C02MH-TL-E
厂商型号

30C02MH-TL-E

参数属性

30C02MH-TL-E 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH

功能描述

Bipolar Transistor 30V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single MCPH3
TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

369.17 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:30:00

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30C02MH-TL-E规格书详情

30C02MH-TL-E属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的30C02MH-TL-E晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Bipolar Transistor

30V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single MCPH3

特性 Features

• Large current capacity

• Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance)) : RCE(sat) typ=330mΩ [IC=0.7A, IB=35mA]

• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products

• Small ON-resistance (Ron)

• Halogen free compliance

Applications

• Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive

产品属性

更多
  • 产品编号:

    30C02MH-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    190mV @ 10mA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 50mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    540MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    3-MCPH

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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