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30A02MH中文资料Bipolar Transistor, -30V, -0.7A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

30A02MH

参数属性

30A02MH 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 700MA MCPH3

功能描述

Bipolar Transistor, -30V, -0.7A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3
TRANS PNP 30V 700MA MCPH3

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:07:00

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30A02MH规格书详情

描述 Description

30A02MH is Bipolar Transistor, -30V, -0.7A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3 for low frequency amplifier and switching applications.

特性 Features

• Large current capacity
• Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=580mΩ [IC=0.7A, IB=35mA]
• Small ON-resistance (Ron)

应用 Application

• Low-frequency Amplifier, high-speed switching small motor drive

简介

30A02MH属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的30A02MH晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :30A02MH

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.22

  • IC Cont. (A)

    :0.7

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :500

  • fT Min (MHz)

    :520

  • PTM Max (W)

    :0.6

  • Package Type

    :SC-70FL/MCPH-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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