丝印：3000；Package：AP15N02SXXXYYYY；20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 20V ID =15 A - RDS(ON)

文件：2.78003 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：20P30；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = -20V ID =-20A - RDS(ON)

文件：2.72884 Mbytes 页数：6 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：MB3-2A；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS =200V,ID =2A - RDS(ON)

文件：1.81014 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：FAPA-MK；30V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =3.8A - RDS(ON)

文件：1.63156 Mbytes 页数：10 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：6003；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =3A - RDS(ON)

文件：1.89194 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：MA4；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =2.8 A - RDS(ON)

文件：1.23579 Mbytes 页数：6 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：MS09；-60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = -60V ID =-3 A - RDS(ON)

文件：2.08657 Mbytes 页数：9 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：NA6-5A；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =5A - RDS(ON)

文件：1.5824 Mbytes 页数：6 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000；Package：AP5N06SIXXXXYYYY；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS=60V ID =5.8A - RDS(ON)

文件：1.6894 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：3000L；High Voltage Single Gas Discharge Tube

Features Non-Radioactive ROHS compliant Ultra low capacitance Low insertion loss Excellent response to fast rising transients 2.5KA surge capabilily tested with 8/20μs pulse as defined by IEC 61000-4-5 Applications CRT terminals CATV equipment Antennas Power suplies Medical electron

文件：3.09702 Mbytes 页数：6 Pages

UNSEMI

优恩半导体