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2STD1665T4	文件：281.1 Kbytes Page：12 Pages	Lowvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Description ThedeviceismanufacturedinNPNPlanarTechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturation volatage ■Highcurrentgainchara	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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Lowvoltagefast-switchingNPNpowertransistor

Description ThedeviceismanufacturedinNPNPlanarTechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturation volatage ■Highcurrentgainchara

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