2SK4213中文资料MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR / NEC - Renesas数据手册Renesas规格书
2SK4213规格书详情
描述 Description
The 2SK4213 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.* Low on-state resistance
RDS(on)1= 6.0 mΩMAX. (VGS= 10 V, ID= 30 A)
RDS(on)2= 9.5 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 20 A)
* Low total gate charge
QG= 34 nC TYP. (VDD= 15 V, VGS= 10 V, ID= 30 A)
* 4.5 V drive available
*Avalanche capability ratings
技术参数
- 型号：
2SK4213
- 制造商：
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述：
REN2SK4213A-ZK-E1-AY NCH ENHANCEMENT-TYP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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