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2SK4212A-ZK-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SK4212A-ZK-E1-AY

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

262.61 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-18 13:31:00

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2SK4212A-ZK-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

The 2SK4212A is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

RDS(on)2 = 14 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 20 A)

• Low total gate charge

QG = 24 nC TYP. (VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)

• 4.5 V drive available

• Avalanche capability ratings

产品属性

  • 型号:

    2SK4212A-ZK-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    REN2SK4212A-ZK-E1-AY NCH ENHANCEMENT-TYP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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