| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-523 |
30000 |
2019+ |
原厂渠道,提供技术支持 |
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8年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-423 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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NECTO-252 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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2年
留言
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TOSIBATO-3 |
8000 |
26+ |
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10年
留言
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TOSHIBATO-3P |
100 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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10年
留言
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TOSTO-220 |
2000 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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17年
留言
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60000 |
24+ |
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5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-523 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝 |
8595 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-523 |
20000 |
23+ |
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1年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-523 |
12800 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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10年
留言
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NECSOT-252 |
6300 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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4年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-423 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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7年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-523 |
6000 |
26+ |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
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21年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT-523 |
30000 |
25+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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8年
留言
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TOSHIBASOT-523 |
13500 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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7年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT523 |
54648 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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3年
留言
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TOSHIBA/东芝VESM2 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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8年
留言
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TOSHIBASOT-723 |
20000 |
24+ |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
2SK405采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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2SK4059TV-B价格
2SK4059TV-B价格:¥0.5200品牌:TOSHIBA
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2SK4058 骏业电子
2SK4058 最新到货 联系电话:18922811681/15815203309 联系人:周小姐 http://www.114ic.com/info-20121115/106162.html
2SK4059TV-B中文资料Alldatasheet PDF
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2SK4057-ZK-E1-AY功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK4057-ZK-E2-AY功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK4058-ZK-E1-AY功能描述:MOSFET N-CH 25V TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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2SK4059TK制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM
2SK4059TV制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM
2SK405O功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR
2SK405Y功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR


























